dnf镀金手镯(为什么有些人玩游戏经常充钱)

1、dnf镀金手镯，为什么有些人玩游戏经常充钱？

您好这里是悠真君，很高兴可以回答您《为什么有些人玩游戏会经常充钱》的问题接下来让我一一向您讲解

玩游戏，相信大家都不陌生，那么接着就由我来解释一下，为什么有些人玩游戏会经常充钱这个问题

其实，有些人充钱的具体原因是根据以及下几点来的:

1.只要你付给游戏钱，游戏就会给你同等的优厚待遇

2.你要是充给游戏钱越多，游戏给你的东西也会越来越多，比如说明日之后这款游戏，你充钱可以获得时装，金条，小太阳。有了这些东西你就可以想买什么买什么，有很多美丽的时装，好看的家具都是需要花钱来解决的。所以会有很多人多喜欢充钱来获得自己想要获得的。

3.比如说某些手游，你冲的钱越多你的vip等级越高越有游戏体验。有可能一堆不充钱的玩家也打不过一个经常充钱的玩家。

总结一下游戏充钱，只要你充给游戏钱，游戏就会给你东西提供，这样可以能让我们更方便的去玩那个游戏，肯定是会有待遇的，但是不年满18周岁的不支持游戏充钱，如果工作放松累了，在游戏里面充钱，可以让你游戏变得富有起来，这样玩游戏会很轻松，所以你们才会就会感到快乐，这样才会放松的情感

以上就是我的回答了，感谢阅读。祝您越来越帅越来越漂亮!

2、dnf所有主线任务？

一、主线任务

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艾尔文防线

打完第一个副本出来后会自动完成第一个任务，和赛莉娅谈话就能完成了

任务名：林纳斯

任务过程：从下面的门口出去往左，和林纳斯对话后，任务就完成

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【赛丽亚】任务后

任务名：冒险的开始

任务过程：通关一次洛兰地下城

任务报酬：200金币、新手的皮腰带（物理防御力+7）

任务备注：需要完成【林纳斯】任务后

任务名：噪音公害

任务过程：在洛兰深处杀死12只哥布林，投掷哥布林不算

任务报酬：200金币和（腐蚀的铁剑、劣质的木棍、劣质的手枪、初级魔法师法杖、木质十字架）里面的其中一件武器

任务备注：需要完成【冒险的开始】任务后

任务名：流动的丛林——格兰之森

任务过程：去艾尔文防线左边的城市“赫顿玛尔”找风振对话

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【噪音公害】任务后

赫顿玛尔

任务名：牛头巨兽的狂暴

任务过程：通关幽暗密林副本

任务报酬：500金币、冒险者之衣（+37物理防）、旧棉布护腕（魔法防+139）

任务备注：需要完成【流动的丛林——格兰之森】任务后

任务名：让人头痛的猫妖

任务过程：杀死位于阴暗密林深处的猫妖10只

任务报酬：500金币和（时芽腰带、皮束腰）其中一个

任务备注：需要完成【牛头巨兽的狂暴】任务后

任务名：呼唤闪电的哥布林

任务过程：和夏洛克对话，他位于赛莉娅的上面

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【让人头痛的猫妖】任务后

任务名：落雷凯诺的传说

任务过程：通关雷鸣废墟副本

任务报酬：避雷指环（魔法防+197），+100经验书7本

任务备注：需要完成【呼唤闪电的哥布林】任务后

任务名：进入丛林深处的人

任务过程：去跟GSD对话，GSD位于赫顿玛尔赛莉娅的右边

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【落雷凯诺的传说】任务后

任务名：毒的香气

任务过程：通关猛毒雷鸣废墟

任务报酬：600金币、精制的稻草项链（魔法防+645）

任务备注：需要完成【进入丛林深处的人】任务后

任务名：疯掉的魔法师—克拉赫

任务过程：通关冰霜幽暗密林

任务报酬：魔力之花和(棉布凉鞋、时芽外靴)其中一个

任务备注：需要完成【毒的香气】任务后

任务名：牛头王萨乌塔

任务过程：通关格拉卡地下城

任务报酬：600金币、精制的丝绸护腕和(精制的棉布凉鞋，精制的皮凉鞋，精炼的环形外靴)其中一个

任务备注：需要完成【疯掉的魔法师—克拉赫】任务后

任务名：邪恶气息的前兆

任务过程：找月光老板的老板娘索西雅对话

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【牛头王萨乌塔】任务后

任务名：灰色结晶

任务过程：通关一次烈焰格拉卡

任务报酬：1000金币、+1000经验书、项链和（坚韧的木制护肩 OR 精制的皮护肩）

任务备注：需要完成【邪恶气息的前兆】任务后

任务名：邪恶气息的真正身份

任务过程：找赛丽亚谈话

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【灰色结晶】任务后

任务名：向天空之城前进

任务过程：通关一次烈焰格拉卡

任务报酬：净化之手镯、抗性之石*3

任务备注：需要完成【邪恶气息的真正身份】任务后

西海岸

任务名：精灵的魔法阵

任务过程：找位于西海岸的魔法导师——莎兰兑换

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【向天空之城前进】任务后

任务名：精灵的魔法阵2

任务过程：通关一次亚蒙上层

任务报酬：SP+20技能书

任务备注：需要完成【精灵的魔法阵】任务后

任务名：罗莉安的行踪

任务过程：在世帕罗塔上层找到罗莉安，基本打一次全图肯定能找到

任务报酬：智慧之石*2

任务备注：需要完成【精灵的魔法阵2】任务后

任务名：Road To Middle Ocean

任务过程：找位于赫顿玛尔的诺顿谈话

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【罗莉安的行踪】任务后

任务名：Road To Middle Ocean2

任务过程：收集3个青铜石巨人的心脏，推荐去天空之海·浅海，那里比较多青铜石巨人

任务报酬：7000金币

任务备注：需要完成【Road To Middle Ocean】任务后

任务名：Road To Middle Ocean3

任务过程：收集1个塞伦的利牙，打亚蒙下层BOSS可以掉落

任务报酬：5个火蜥蜴药水

任务备注：需要完成【Road To Middle Ocean2】任务后

任务名：Road To Middle Ocean4

任务过程：收集1个龙人的心脏，打世帕罗塔上层BOSS可以掉落

任务报酬：7000金币、10个狂龙之吼

任务备注：需要完成【Road To Middle Ocean3】任务后

任务名：Road To Middle Ocean5

任务过程：找位于西海的魔法导师——莎兰谈话

任务报酬：精神之石*2

任务备注：需要完成【Road To Middle Ocean4】任务后

任务名：没有修复的魔法阵

任务过程：在天空之城副本里面收集10个萤石、10个锆石、10个尖晶石，这三种石头都可以打天空之城副本里面的水晶柱掉落

任务报酬：30000金币

任务备注：需要完成【Road To Middle Ocean5】任务后

任务名：变强的天空之城气息

任务过程：去找位于赫顿玛尔的神枪手导师——凯丽谈话

任务报酬：300金币

任务备注：需要完成【没有修复的魔法阵】任务后

任务名：光之城主--攻袭

任务过程：通关一次天空之海·深海

任务报酬：银坠饰

任务备注：需要完成【变强的天空气息】任务后

任务名：光之城主--疑问

任务过程：与赛丽亚对话

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【光之城主--攻袭】任务后

任务名：光之城主--原因

任务过程：与卡坤对话

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【光之城主--疑问】任务后

任务名：光之城主--约定

任务过程：通关一次天空之海·深海

任务报酬：体力之石*2、生命之石

任务备注：需要完成【光之城主--原因】任务后

任务名：光之城主--解谜

任务过程：与莎兰谈话

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【光之城主--约定】任务后

天帷巨兽

任务名：向天帷巨兽进军

任务过程：与奥菲利亚对话，从莎兰那里一直往右走就看到了

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【光之城主--解谜】任务后

任务名：调查GBL神殿

任务过程：通关天帷巨兽的神殿外围，在奥菲利亚右边一直走就能进入副本了

任务报酬：100金币

任务备注：需要完成【向天帷巨兽进军】任务后

任务名：预言家赫亚西斯的预言书--1

任务过程：打倒神殿外围的黎明之传道师，基本打一次全图的神殿外围就可以完成了

任务报酬：速度之石*10

任务备注：需要完成【调查GBL神殿】任务后

任务名：预言家赫亚西斯的预言书--2

任务过程：打倒树精丛林的黄昏之传道师，基本打一次全图的树精丛林就可以完成了

任务报酬：镀金戒指

任务备注：需要完成【预言家赫亚西斯的预言书--1】任务后

任务名：预言家赫亚西斯的预言书--3

任务过程：打倒炼狱的暗之传道师，基本打一次全图的炼狱就可以完成了

任务报酬：+5SP技能书、生命之石*3

任务备注：需要完成【预言家赫亚西斯的预言书--2】任务后

任务名：预言家赫亚西斯的预言书--4

任务过程：打倒极昼的光之传道师，基本打一次全图的极昼就可以完成了

任务报酬：蓝色圣餐*10、锐眼药水*10

任务备注：需要完成【预言家赫亚西斯的预言书--3】任务后

西海岸分支主线

任务名：存在的悬空城

任务过程：4人组队通关一次天空之海·浅海王者级别

任务报酬：金块、黑曜石

任务备注：需要完成【变强的天空之城气息】任务后

任务名：悬空城--第一个关口

任务过程：收集30个任务道具，通关一次悬空城就收集满了

任务报酬：天空之城泉水*3、天空之城露水*3

任务备注：需要完成【存在的悬空城】任务后

任务名：悬空城--第二个关口

任务过程：通关一次悬空城

任务报酬：精炼的魔力之水*5、3000金币

任务备注：需要完成【悬空城--第一个关口】任务后

任务名：悬空城--第三个关口

任务过程：通关一次悬空城

任务报酬：精炼的魔力之水*5、6000金币

任务备注：需要完成【悬空城--第二个关口】任务后

任务名：悬空城--最后一个关口

任务过程：通关一次悬空城

任务报酬：光明保护者之镯

任务备注：需要完成【悬空城--第三个关口】任务后

任务名：魔法师姐妹们的命运1

任务过程：和位于西海岸的魔法导师——莎兰谈话

任务报酬：500金币

任务备注：需要完成【悬空城--第三个关口】任务后

任务名：魔法师姐妹们的命运2

任务过程：通关一次悬空城

任务报酬：魔力之石、增加1000经验值的书*5

任务备注：需要完成【魔法师姐妹们的命运1】任务后

3、如何正确选择适合自己的内存条？

内存条看主板支持数码型号的，有DDR3内存条和DDR4两种规格。

内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已成为读写内存的整体。我们通常所说电脑内存（RAM）的大小，即是指内存条的总容量。

内存条是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。

诞生

起初，电脑所使用的内存是一块块的IC，我们必须把它们焊接到主机板上才能正常使用，一旦某一块内存IC坏了，必须焊下来才能更换，这实在是太费劲了。后来，电脑设计人员发明了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，相应地，在主板上设计了内存插槽，这样，内存条就可随意拆卸了，从此，内存的维修和扩充都变得非常方便。

发展

内存芯片的状态一直沿用到286初期，鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对于计算机的发展造成了现实的阻碍。有鉴于此，内存条便应运而生了。将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，而电脑主板上也改用内存插槽。这样就把内存难以安装更换的问题彻底解决了。

在80286主板发布之前，内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。不过随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了“内存条”概念。

在80286主板刚推出的时候，内存条采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb，必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank，正因如此，我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。自1982年PC进入民用市场，搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。

随后，在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰，也就是386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展，所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，所以此时72pin SIMM 内存出现了，72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升。72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用，由于其与30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了。

EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外扩充数据模式存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条，EDO-RAM同FP DRAM极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V，带宽32bit，速度在40ns以上，其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上。

在1991 年到1995 年中，让我们看到一个尴尬的情况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前，所以我们看到此时EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情况，事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展，此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 。由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM与FPM RAM都必须成对使用。

SDRAM时代

自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。

第一代SDRAM 内存为PC66 规范，但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。

不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。

尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。

在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手锏，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。

尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。

DDR SDRAM(Dual DataRate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本，DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。

DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，另外还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过渡，而DDR400内存成为当下的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。

DDR2时代

DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，仅仅依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。

DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。

内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。

PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”，这也是大多数较新的芯片组支持的一种内存标准，VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成，它集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。可以支持VCM SDRAM的芯片组很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。

RDRAM

Intel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s)，同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)，如图4-3所示。

Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相当于PC-100的两倍。另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC(ErroI·Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3最高能够以2400Mhz的速度，由于最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从800Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。

DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：

1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

2．采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和差分信号的两种规格产品。

根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品

所以建议你选择DDR4内存条。